江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司 氮化鎵（GaN）外延、芯片、封裝生產(chǎn)項目（一期） 安全預評價(jià)報告

項目簡(jiǎn)介

江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司位于江西省撫州高新區半導體科技園，是一家從事第三代化合物半導體外延生長(cháng)、芯片制造、封裝測試的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售一體的高科技創(chuàng )新性企業(yè)。該項目建設20臺MOCVD的氮化鎵外延片生產(chǎn)線(xiàn)、一條芯片中試生產(chǎn)線(xiàn)和一條封裝測試線(xiàn)，可形成月產(chǎn)能5萬(wàn)片外延片，對應約5億顆芯片的生產(chǎn)能力。

該項目涉及的危險化學(xué)品有：三甲基鋁、氨、氫氣、氮氣（壓縮或液化的）、氬氣（壓縮或液化的）、氦氣（壓縮或液化的）、氧氣（壓縮或液化的）、丙酮、一氧化二氮、六氟化硫、三氟甲烷、四氟化碳、氯氣、硅烷、二氯硅烷、三氯化硼、雙氧水、酒精、醋酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、氫氟酸、氨水、氫氧化鈉等；其中氨氣、氫氣、氯氣、氫氟酸為重點(diǎn)監管的危險化學(xué)品。本項目不涉及危險化工工藝。

評價(jià)人員

職責

姓名

職業(yè)資格證書(shū)編號

從業(yè)登記

編號

項目負責人

聶潤蓀

1100000000201786

014606

項目組成員

聶潤蓀

1100000000201786

014606

徐志平

S011032000110203000975

040952

劉良將

S011032000110203000723

040951

羅明

1600000000300941

039726

報告編制人

聶潤蓀

1100000000201786

014606

報告審核人

王東平

S011035000110202001266

040978

過(guò)程控制負責人

劉求學(xué)

S011044000110192002758

036807

技術(shù)負責人

邱國強

S011035000110201000597

022186

評價(jià)結論

江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司氮化鎵（GaN）外延、芯片、封裝生產(chǎn)項目（一期）在以后的初步設計、施工圖設計和建設施工、安裝調試及生產(chǎn)運行中，如能?chē)栏駡绦袊矣嘘P(guān)安全生產(chǎn)法律、法規和有關(guān)標準、規范，認真落實(shí)該建設工程可行性研究報告提出的安全措施，并采納本報告書(shū)中提出的安全對策措施及建議，真正做到安全設施與主體工程同時(shí)設計、同時(shí)施工、同時(shí)投入生產(chǎn)和使用，工程的危險、有害因素可以得到有效控制，工程的安全運行可以得到保障。項目建成后,整個(gè)建設工程可以滿(mǎn)足安全生產(chǎn)條件。

現場(chǎng)工作時(shí)間

2021.12

報告提交時(shí)間

2022.5.30

現場(chǎng)參加人員

企業(yè)、聶潤蓀、羅明

現場(chǎng)照片